線性IC參數(shù)分選測(cè)試儀

產(chǎn)品型號(hào)： ICT3198

所屬分類：集成電路測(cè)試儀

產(chǎn)品時(shí)間：2024-05-06

簡(jiǎn)要描述：ICT3198 線性IC參數(shù)分選測(cè)試儀，IST3198是繼ICT3100數(shù)字IC品質(zhì)分選測(cè)試儀之后向國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)推出的又一新品。它融合了國(guó)內(nèi)外同類產(chǎn)品的諸多優(yōu)點(diǎn)并有所創(chuàng)新。是一種智能化程度*的新一代線性集成電路測(cè)試儀。它可對(duì)通常使用的單運(yùn)放及多運(yùn)放 、比較器等進(jìn)行快速測(cè)試。

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ICT3198 線性IC參數(shù)分選測(cè)試儀，IST3198線性IC參數(shù)分選測(cè)試儀是繼ICT3100數(shù)字IC品質(zhì)分選測(cè)試儀之后向國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)推出的又一新品。它融合了國(guó)內(nèi)外同類產(chǎn)品的諸多優(yōu)點(diǎn)并有所創(chuàng)新。是一種智能化程度*的新一代線性集成電路測(cè)試儀。它可對(duì)通常使用的單運(yùn)放及多運(yùn)放 、比較器等進(jìn)行快速測(cè)試。
IST3198是繼ICT3100數(shù)字IC品質(zhì)分選測(cè)試儀之后向
國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)推出的又一新品。它融合了國(guó)內(nèi)外同類產(chǎn)品的諸多優(yōu)點(diǎn)并有所創(chuàng)新。是一種智
能化程度*的新一代線性集成電路測(cè)試儀。它可對(duì)通常使用的單運(yùn)放及多運(yùn)放 、比較器
等進(jìn)行快速測(cè)試。 
它具備以下特點(diǎn)：
1．根據(jù)IC型號(hào)自動(dòng)切換測(cè)試，無(wú)需人工轉(zhuǎn)接線更換測(cè)試盒。
2．具有自校準(zhǔn)功能，測(cè)試參數(shù)基準(zhǔn)穩(wěn)定。
3．測(cè)試參數(shù)值讀取快潔、直觀。
4．測(cè)試操作簡(jiǎn)單。
5．它可以對(duì)線性IC的11項(xiàng)交直流參數(shù)進(jìn)行測(cè)試及功能測(cè)試。
6．提供自適應(yīng)測(cè)試方式：以樣片為基準(zhǔn)，對(duì)同型號(hào)IC 進(jìn)行篩選測(cè)試進(jìn)行快速篩選。

主要技術(shù)指標(biāo)

    3．1 額定工作條件及規(guī)格：         
          整 機(jī) 功  耗：          35W
          電        源：          220V/AC  50HZ
          使用環(huán)境溫度：          5─35
          相 對(duì) 濕  度：          45%RH
          重        量：          5.5kg     
          外界電磁干擾：          避免   

序 號(hào) 測(cè)    試  參  數(shù)  單 位 誤 差 1    失調(diào)電壓            Vio mV <5% 
2    失調(diào)電流            Iio nA <5%  3    偏置電流            Iib nA <5% 
4    靜態(tài)功耗            Pd mW <5%  5      開(kāi)環(huán)增益            Avd db <5% 
6    共模抑制比          Kcmr db <5%  7    輸入電阻            Rid KΩ  <10% 
8    輸出電阻            Ros Ω <10%  9    增益帶寬積          Gbw KH <5% 
10    電源電壓抑制比    Ksvr db <5%  11    輸出電壓峰--峰值    Vopp V <5% 
12    壓擺率              Sr V/us <10%  3．3
測(cè)試內(nèi)容說(shuō)明
靜態(tài)工耗是在測(cè)試電壓為± 8V下測(cè)得（個(gè)別特殊比較器在+12V/-6V下測(cè)得）。 
·對(duì)于自適應(yīng)測(cè)試，比較誤差小于5%
·失調(diào)電壓測(cè)量范圍：100uV─100mV Vos  超過(guò) 100mV 時(shí)， 認(rèn)為功能失效；
|Vos| 在2mV─100mV之間，相對(duì)誤差<3%；|Vos| 在0.1─2mV之間，相對(duì)誤差<6%失調(diào)電
流。
·偏置電流測(cè)量范圍：Ios，Ib >10nA時(shí) 相對(duì)誤差<3%；Ios，Ib<10nA相對(duì)誤差<8%；Ios；
Ib<0.5nA，相對(duì)誤差較大。
·靜態(tài)功耗測(cè)量范圍：0.3─180mW、Pd>10mW，相對(duì)誤差 <3%
·輸出電阻測(cè)量范圍：25─2.5k，分辨率為5Ω   
·輸入電阻測(cè)量范圍：20KΩ─15MΩ，分辨率KΩ   
·輸入電阻高于15M的芯片不測(cè)此項(xiàng)參數(shù)，若“錯(cuò)敲”鍵入型號(hào)，如測(cè)LF347 而入     
“342”（LM324），所測(cè)的輸入電阻是不真實(shí)的。
·壓擺率為擴(kuò)充測(cè)試項(xiàng)。

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